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BTF-1200C-PECVD

簡(jiǎn)要描述:BTF-1200C-PECVD: 貝意克公司研制的PECVD系統能使整個(gè)實(shí)驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區,輝光均勻等效,這種技術(shù)很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態(tài),這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。其優(yōu)勢有沉積溫度低,沉積速率快,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂等。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2018-05-07
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:2667

詳細介紹

 

產(chǎn)品型號:

BTF-1200C-PECVD

實(shí)驗機理:

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應,從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。

技術(shù)參數:

加熱區參數

反應腔體尺寸:Φ50,Φ60,Φ80,Φ100
加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)

加熱區長(cháng)度:440mm

恒溫區長(cháng)度:200mm(±1℃)

工作溫度:1100℃

zui高溫度:1200℃

控溫方式:模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

控溫精度:±1℃

升溫速率:20℃/min

爐門(mén)結構:開(kāi)啟式

工作電源:AC220V /50HZ

額定功率:3KW

空參數

采用KF25系列波紋管和手動(dòng)擋板閥;

真空度可達10-3torr;

數顯真空測試儀可直觀(guān)的顯示數值。

流量控制參數

內部裝有高精度質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量;

氣體流量范圍可選,誤差為±1.5%;

一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥;

不銹鋼針閥安裝在左側可手動(dòng)控制混合氣體輸入。

射頻電源與匹配器

電源:?jiǎn)蜗?0/60Hz 220v±10%

加熱(功率)電源:2.5KW,25A

控制柜電源空氣開(kāi)關(guān):32A空氣開(kāi)關(guān) 

薄膜生長(cháng)室溫度:室溫~ 1200℃

射頻頻率:13.56MHz

射頻功率輸出范圍:5~500W

細節展示:

 

外型尺寸:

爐體:940×380×520mm

供氣及真空系統:600×600×600mm

凈重:

130Kg

認證和:

號:ZL201320052532.0  (產(chǎn)品,防偽必究)

 

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