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當前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > CVD系統 > 碳納米管 > BTF-1200C-II-PECVDCVD系統

CVD系統

簡(jiǎn)要描述:CVD系統是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應,從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。

  • 產(chǎn)品型號:BTF-1200C-II-PECVD
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2021-10-22
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:1655

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儀器種類(lèi)管式爐產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)
應用領(lǐng)域能源,建材,電氣,綜合

  CVD系統配有前端預加熱爐,輔助固態(tài)源蒸發(fā),后端為單溫區加熱爐 ,溫度控制精確,操作簡(jiǎn)便,對于氣相沉積,二維材料,等離子處理生長(cháng)工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。

1.與傳統CVD系統比較,生長(cháng)溫度更低。

2.使用滑軌爐實(shí)現快速升溫和降溫。

3.設備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效,均勻生長(cháng)

1.加熱系統

最高溫度

1200

使用溫度

≤1100

爐膛有效尺寸

Φ50mm(爐管直徑可根據實(shí)際需要定制)

爐膛材料

氧化鋁、高溫纖維制品

熱電偶類(lèi)型

K型熱電偶

控溫精度

±1

控溫方式

30段可編程控溫,PID參數自整定

加熱長(cháng)度

200+200mm

恒溫長(cháng)度

100+100mm

加熱原件

電阻絲

供電電源

單相,220V,50Hz

      2、預熱系統系統       

最高溫度

400

爐膛有效尺寸

Φ50mm(爐管直徑可根據實(shí)際需要定制)

爐膛材料

氧化鋁、高溫纖維制品

熱電偶類(lèi)型

K型熱電偶

控溫精度

±1

控溫方式

30段可編程控溫,PID參數自整定

加熱長(cháng)度

100mm

加熱原件

電阻絲

額定功率

800W

      3、PE系統

功率輸出范圍

0W~500W

最大反射功率

100W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩定度

≤5W

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V 頻率50/60HZ

整機效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風(fēng)冷

      4、三路質(zhì)子流量控制系統

連接頭類(lèi)型

雙卡套不銹鋼接頭

標準量程(N2)

50sccm,100sccm、500sccm(可根據用戶(hù)要求定制)

準確度

±1.5%F.S

線(xiàn)性

±1%F.S

重復精度

±0.2%F.S

響應時(shí)間

氣特性:14 Sec,電特性:10 Sec

工作壓差范圍

0.10.5 MPa

最大壓力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

顯示

4位數字顯示

工作環(huán)境溫度

5~45高純氣體

壓力真空表

0.10.15 MPa, 0.01 MPa/

截止閥

Φ6

內外雙拋不銹鋼管

Φ6

      5、低真空機組

空氣相對濕度

≤85%

工作環(huán)境

5℃40℃

工作電電壓

280V

抽氣速率

32m³/h

極限真空

5X10-1Pa(空載冷態(tài))

工作壓力范圍

1.01325X1051.33X10-2Pa

耐壓值

0.03MPa

進(jìn)氣口口徑

KF40

排氣口口徑

KF40

連接方式

采用波紋管,手動(dòng)擋板閥與波紋管相連

 

 

 

 

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