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簡(jiǎn)要描述：微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長(cháng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
產(chǎn)品型號：BTF-1200C-S-PECVD廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2020-05-07訪(fǎng) 問(wèn) 量：1231詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 5萬(wàn)-10萬(wàn) |
|---|---|---|---|
| 儀器種類(lèi) | 管式爐 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
| 應用領(lǐng)域 | 醫療衛生,環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè) |
微型PECVD系統，它包括小型真空管式爐，石英真空室、真空抽氣與真空測量系統、氣路系統、射頻電源系統、物料噴射系統。電源范圍寬：0-100W可調； 溫度范圍寬：100-1200度可調；濺射區域寬：0-600mm可調；適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長(cháng)各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。
主要特點(diǎn)
1. 薄膜沉積速率高：采用了甚高頻技術(shù)，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10Å/S；
2. 大面積均勻性高：采用了*的多點(diǎn)射頻饋入技術(shù)，特殊氣路分布和加熱技術(shù)等，使得薄膜均勻性指標達到8%；
3. 一致性高：用半導體行業(yè)的*設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%；
4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定；
5. 選配物料噴射系統，可將原料直接噴射到反應區。
技術(shù)參數
真空管式爐 | 爐管尺寸： | 外徑Φ50×700mm |
極限溫度： | 1200℃ | |
溫度控制器： | PID自動(dòng)控制晶閘管（可控硅）輸出功率，30段可編程控制器 | |
zui快升降溫速率： | 60℃ | |
加熱區： | 230mm | |
恒溫區： | 100mm | |
溫度精度： | ±1℃ | |
電源： | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計控制系統 | 標準量程： | 100，200SCCM；（以氮氣標定，除以上標準外量程可選） |
準確度： | ±1.5% | |
工作壓差范圍： | 0.1～0.5 MPa | |
大壓力： | 3MPa | |
接頭類(lèi)型： | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統
| 泵體積流量N2： | 33 L/S |
壓縮比： | ≥1011mbar | |
實(shí)驗真空值： | ≤10-6mbar | |
功率消耗： | 140W | |
啟動(dòng)時(shí)間： | 2min | |
電源要求： | 185-265V AC | |
射頻電源 | 信號頻率： | 13.56MHz±0.005%W |
功率輸出范圍： | 0-100W | |
大反射功率： | 10W |
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