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CVD系統

回轉CVD設備負極材料燒結設備二維材料制備碳納米管

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復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備

更新時(shí)間：2021-09-27

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復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備，可以實(shí)現在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學(xué)沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復合氧化物（Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2）氫分離膜。
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BTF-1200C-II-SL-210雙爐膛滑動(dòng)CVD控制系統

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL-210

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雙爐膛滑動(dòng)CVD控制系統操作時(shí)可將實(shí)驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。
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BTF-1200C-II-R-CVD連續進(jìn)出料回轉CVD生長(cháng)設備

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-R-CVD

瀏覽量：1359

連續進(jìn)出料回轉CVD生長(cháng)設備爐管可360°旋轉，有助于粉料的燒結更均勻，可大角度傾斜，方便進(jìn)出料，傾斜角度在0-35°之間。
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BTF-1200C-II-SL大三溫區滑軌CVD系統（低真空、高真空環(huán)境）

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL

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BTF-1200C-III-SL-4ZL大三溫區滑軌CVD系統（低真空、高真空環(huán)境）控溫方式:模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能.
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BTF-1200C-II-SL雙溫區磁力拉桿設備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源）

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SL

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雙溫區磁力拉桿設備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源）具有兩個(gè)獨立的溫場(chǎng)，溫場(chǎng)之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內探熱電偶，可實(shí)現在實(shí)驗過(guò)程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進(jìn)熱場(chǎng)，并同時(shí)可檢測溫度。
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BTF-1200C-II-SSL-CVD雙獨立溫區滑軌爐CVD設備（可于生長(cháng)硫化鉬）

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-II-SSL-CVD

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雙獨立溫區滑軌爐CVD設備（可于生長(cháng)硫化鉬）提供兩個(gè)獨立滑動(dòng)的溫場(chǎng)，兩溫場(chǎng)獨立控制，每個(gè)溫場(chǎng)的加熱區的長(cháng)度為230mm，可在實(shí)驗過(guò)程中推進(jìn)或推離樣品，提供兩個(gè)位置的快升降溫。
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BTF-1200C-III-S-SL-3ZL小三溫區滑軌CVD

更新時(shí)間：2021-09-27

型號：BTF-1200C-III-S-SL-3ZL

瀏覽量：1303

小三溫區滑軌CVD控溫方式:模糊PID控制和自整定調節，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能.
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BTF-1200C-II-SL-CVD二維材料制備

更新時(shí)間：2021-10-22

型號：BTF-1200C-II-SL-CVD

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二維材料制備CVD系統前端配有可加熱到400℃的預加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區管式爐，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便。并配質(zhì)量流量計系統和真空系統，可以準確的反應腔體內部的氣體壓力和氣體流量，對于做低壓CVD實(shí)驗非常實(shí)用，重復性好。
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